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          日研究不怕消磁的存儲(chǔ)新材料

          日研究不怕消磁的存儲(chǔ)新材料

          2012-05-28 17:24:39

            日本理化研究所研究人員在28日的美國《物理評論通訊》雜志網(wǎng)絡(luò)版上發(fā)表論文說,他們發(fā)現(xiàn)一種人工合成的鎘鋨氧化物在特定溫度下由導(dǎo)體變?yōu)榉谴判园雽?dǎo)體的原因。這種特性使其能夠成為不怕消磁的存儲(chǔ)新材料。

            根據(jù)理化研究所日前發(fā)表的新聞公報(bào),多數(shù)物質(zhì)在不同溫度下其導(dǎo)電性能并不會(huì)發(fā)生變化,而有些種類的金屬氧化物在溫度變化時(shí)導(dǎo)電性能會(huì)發(fā)生改變。一種人工合成的鎘鋨氧化物在室溫下?lián)碛辛己玫膶?dǎo)電性能,而被冷卻到零下52攝氏度時(shí),它會(huì)從導(dǎo)體轉(zhuǎn)變成非磁性半導(dǎo)體。

            來自理化研究所、東京大學(xué)、神戶大學(xué)等機(jī)構(gòu)的研究人員嘗試?yán)么笮屯捷椛浼铀倨鳎樱校颍椋睿纾赴l(fā)出的X射線,觀察這種鎘鋨氧化物中鋨原子電子自旋的排列,發(fā)現(xiàn)這種氧化物轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體的同時(shí),電子自旋排列出現(xiàn)了兩種方向。這種特殊的排列使氧化物整體的磁性消失,而兩種自旋方向則可分別代表數(shù)據(jù)存儲(chǔ)所必需的0和1兩種狀態(tài)。

            公報(bào)指出,迄今的磁存儲(chǔ)介質(zhì)一旦靠近強(qiáng)磁場,存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)有被消除的危險(xiǎn)。而這種鎘鋨氧化物由于沒有磁性,因而不怕消磁,有望成為新的存儲(chǔ)材料。不過,離實(shí)際應(yīng)用還要解決諸多課題,比如如何使這種物質(zhì)在室溫下就能出現(xiàn)電子自旋排列改變,鎘和鋨的毒性處理等等。(新華網(wǎng))

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